LED光譜測(cè)量中的問題分析
 發(fā)光二極管（LED）誕生已有40年，但只有到5年前白光LED開發(fā)成功后，對(duì)LED進(jìn)行光譜測(cè)量才提上日程。迄今，白光LED的法向發(fā)光強(qiáng)度已達(dá)10cd以上，光效已超過25lm/W［1］。由于它具有10萬小時(shí)的壽命，微秒級(jí)的響應(yīng)時(shí)間，光效已超過白熾燈；并且體積小，結(jié)構(gòu)牢固。所以繼鹵鎢燈、熒光燈之后，它成為第三代照明光源的趨勢(shì)已成為必然。目前白光LED的制造途徑主要有三種：

　　（１）利用InGaN/GaN蘭光芯片，結(jié)合激發(fā)光為黃光的熒光物質(zhì)YAG復(fù)合成白光；

　?。ǎ玻├眉t、綠、蘭三基色通過各自比例的調(diào)整，復(fù)合成白光；

　?。ǎ常┰赯nSe單晶基板上形成ZnCdSe薄膜，通電后薄膜發(fā)蘭光，它與基板產(chǎn)生連鎖反應(yīng)發(fā)出黃光，復(fù)合成白光。故各種白光LED離開等能白的色品坐標(biāo)，即WE（0.3333，0.3333）的差距各不相同，從而對(duì)應(yīng)的色溫、色純度和顯色指數(shù)等參數(shù)也各不相同，所以對(duì)它進(jìn)行光譜量測(cè)量的重要性不言而喻。準(zhǔn)確測(cè)試LED各類光電參數(shù)對(duì)改善LED的性能作用頗大，其中光譜量的測(cè)試基本上有三種方法，

　　一是把測(cè)量光用若干塊不同波長(zhǎng)的帶通濾光片過濾后到達(dá)光探測(cè)器，光探測(cè)器一般用光電倍增管和硅光電二極管。

　　二是把測(cè)量光經(jīng)衍射光柵分光后到達(dá)線陣CCD電荷耦合器件。

　　三是用單色儀分光后進(jìn)行測(cè)量。

前面兩種方法主要用于便攜式光譜測(cè)試儀對(duì)LED進(jìn)行多參數(shù)一次性快速測(cè)量，用同一結(jié)構(gòu)配置的硬件測(cè)量多個(gè)參數(shù)必然降低測(cè)量精度，后一種方法計(jì)量部門運(yùn)用較多，能得到高精度的測(cè)量值，但測(cè)量時(shí)間較長(zhǎng)。對(duì)單色LED主要測(cè)定其峰值波長(zhǎng)和半寬度（FWHM），對(duì)白色LED主要測(cè)定其相對(duì)功率分布，從而推導(dǎo)出其色品坐標(biāo)，主波長(zhǎng)、色溫、色純度和顯色指數(shù)等參數(shù)，所以是光譜量測(cè)量的重點(diǎn)對(duì)象。